. Дубна: 5 oC
Дата 24.10.2020

8 ноября 2018 года Объединенный институт ядерных исследований дополнил число своих патентов патентом на изобретение "Планарный полупроводниковый детектор", авторами которого являются сотрудники Института.

Авторы: Шелков Георгий Александрович, Кожевников Данила Александрович, Смолянский Петр Игоревич, Котов Сергей Анатольевич, Кручонок Владимир Геннадьевич, Жемчугов Алексей Сергеевич, Лейва Фабело Антонио.

Планарный полупроводниковый детектор, о котором идет речь, отличается от прежних повышенной эффективностью регистрации ионизирующего излучения (лучше отмечает мягкое гамма-излучение), а также точнее измеряет энергию альфа-частиц.

Его чувствительная область представляет собой слой, ограниченный параллельными плоскостями контактных электродов. "Металлизация лицевой (обращенной к источнику ионизирующего излучения) поверхности сформирована в виде сетки малой площади с шириной стрипа 3-10 мкм и с шагом в 30-100 мкм", - отмечается в материале ОИЯИ.

Изобретение применимо в исследованиях в сфере ядерной физики и физики высоких энергий, также детектор можно установить в цифровые приборы, регистрирующие заряженные частицы, рентгеновское излучение и гамма-кванты.

Добавить комментарий

Комментарии не должны оскорблять автора текста и других комментаторов. Содержание комментария должно быть конкретным, написанным в вежливой форме и относящимся исключительно к комментируемому тексту.


Защитный код
Обновить