8 ноября 2018 года Объединенный институт ядерных исследований дополнил число своих патентов патентом на изобретение "Планарный полупроводниковый детектор", авторами которого являются сотрудники Института.
Авторы: Шелков Георгий Александрович, Кожевников Данила Александрович, Смолянский Петр Игоревич, Котов Сергей Анатольевич, Кручонок Владимир Геннадьевич, Жемчугов Алексей Сергеевич, Лейва Фабело Антонио.
Планарный полупроводниковый детектор, о котором идет речь, отличается от прежних повышенной эффективностью регистрации ионизирующего излучения (лучше отмечает мягкое гамма-излучение), а также точнее измеряет энергию альфа-частиц.
Его чувствительная область представляет собой слой, ограниченный параллельными плоскостями контактных электродов. "Металлизация лицевой (обращенной к источнику ионизирующего излучения) поверхности сформирована в виде сетки малой площади с шириной стрипа 3-10 мкм и с шагом в 30-100 мкм", - отмечается в материале ОИЯИ.
Изобретение применимо в исследованиях в сфере ядерной физики и физики высоких энергий, также детектор можно установить в цифровые приборы, регистрирующие заряженные частицы, рентгеновское излучение и гамма-кванты.